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集微網(wǎng)消息，據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。
然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉χ袊陌雽?dǎo)體依賴。
韓國企業(yè)對該計劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個原因。
首先，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
另一位高級官員也表示，“即使是內(nèi)存芯片，對美國來說也很難。美光科技計劃在六年內(nèi)將對華供應(yīng)增加兩到三倍。單是一條內(nèi)存生產(chǎn)線，就需要兩年多的時間，花費(fèi)20萬億到30萬億韓元(177.1億到265.6億美元)。有人指出，由于存儲器行業(yè)實(shí)行寡頭壟斷制度，在短時間內(nèi)提高產(chǎn)量幾乎是不可能的。
在此背景下，如果報道的計劃屬實(shí)，中國可能會增加從高通或系統(tǒng)級芯片的進(jìn)口。一位業(yè)內(nèi)人士說:“三星電子在中國西安生產(chǎn)NAND閃存芯片，SK海力士在無錫生產(chǎn)DRAM芯片。即使中國增加對美國內(nèi)存半導(dǎo)體的進(jìn)口，這兩家公司也不太可能遭受打擊。
值得注意的是，美方對中方的建議作出了消極回應(yīng)。《華爾街日報》援引美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(SIA)總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer的話稱，該提議是旨在實(shí)現(xiàn)"中國制造2025 "。
一位業(yè)內(nèi)觀察人士說，“美國已經(jīng)禁止向DRAM生產(chǎn)商福建金華集成電路有限公司(JHICC)出口半導(dǎo)體設(shè)備，并以國家安全的名義對華為技術(shù)有限公司和中興通訊股份有限公司進(jìn)行懲罰。”美國不太可能輕松地接受中國的提議。